AORUS RGB M.2 NVMe SSD 256 GtMuotokerroin: M.2 2280Liitäntä: PCI Express 3.0 x4, NVMe 1.3Kapasiteetti: 256 Gt *Peräkkäinen lukunopeus: jopa 3100 MB / s **Peräkkäinen kirjoitusnopeus: jopa 1050 MB / s **TRIM & SMART tuettuAES 256 tuettuXtreme-tallennusteho:Uuden NVMe-liitäntäohjaimen avulla AORUS RGB M.2 SSD tarjoaa palavan nopeuden jopa 3100 Mt / s peräkkäiseen lukemiseen ja jopa 1050 Mt / s peräkkäiseen kirjoitukseen. Lisäksi jäähdytyselementti pitää ohjaimen ja muistin lämpötilat alhaisina, mikä varmistaa, että SSD: n suorituskyky ei vaarannu. Tämä on erityisen tärkeää pelaajille, koska komponentit kuumenevat merkittävästi pelin aikana. Valmistaudu siirtymään seuraavan sukupolven tietojenkäsittelyyn nopeammin ja sujuvammin pelin suoratoistossa ja graafisessa intensiivisessä renderöinnissä.Helppo päivittää kaikkiin tietokoneisiin:M.2 2280 on pieni muoto, joka sopii täydellisesti kaikenlaisiin PC-päivityksiin. M.2-paikat ovat yhä suositumpia emolevyissä näinä päivinä. Voit asentaa SSD: n helposti nopeammin.RGB-fuusio:Alan ensimmäinen RGB M.2 SSD, joka voi synkronoida täydellisesti emolevyjen * kanssa. Se tukee 5 valotehosetta, mukaan lukien staattinen, salama, kaksoissalama ja värisykli.RGB Fusion -apuohjelma:Integroidulla intuitiivisella käyttöliittymällä RGB Fusion tarjoaa paremman ratkaisun valotehosteiden mukauttamiseen kaikissa tuetuissa laitteissa. Emolevyistä, näytönohjaimista oheislaitteisiin - voit räätälöidä pelilaitteesi omalla tyylilläsi ja esitellä rakennettasi jakamalla profiileja. Lisäksi uusi pelitila tekee valotehosteista vuorovaikutteisia valittujen pelien kanssa ja tuo sinulle mukaansatempaavimman pelikokemuksen.SSD-työkaluruutu:Äskettäin päivitetty SSD Tool Box on sovellus, joka auttaa käyttäjiä seuraamaan SSD: n tilaa, tarjoaa yleisiä tietoja, kuten mallin nimi, FW-versio, terveydentila, aseman optimointi ja havaitsee myös anturin lämpötilan. Lisäksi käyttäjät voivat tyhjentää kaikki tiedot Secure Erase -toiminnolla. Voit ladata SSD-työkaluruudun tuesta.Tekniset tiedot:Liitäntä: PCI Express 3.0 x4, NVMe 1.3Muotokerroin: M.2 2280NAND: 3D TLC NAND FLASHUlkoinen DDR-välimuisti: 512 MtPeräkkäinen lukunopeus: Jopa 3100 MB / sPeräkkäinen kirjoitusnopeus: Jopa 1050 MB / sSatunnainen luku IOPS: 180KSatunnainen kirjoitus IOPS: 240KKeskimääräinen vikojen välinen aika (MTBF): 1,8 miljoonaa tuntiaVirrankulutus (aktiivinen): Keskimääräinen: R: 5085mW, L: 3285 mWVirrankulutus (tyhjäkäynnillä): 272mWLämpötila (käytössä): 0 ° C - 70 ° CLämpötila (varastointi): 40 ° C - 85 ° C