5 tehokasta N-kanavaista MOSFET-transistoria luotettavaan kytkentään ja ohjaukseen elektronisissa piireissä.

Edut

• Korkea kuormituksen kesto jopa 100 V ja 33 A
• Matala 44 mΩ päällekytkentävastus
• Nopeat 35 ns kytkentäajat
• Kestävä TO-220-kotelo

Tehokas suorituskyky
N-kanavainen MOSFET käsittelee jopa 100 V jännitteitä ja 33 A virtoja. Matala 44 mΩ vastus vähentää johtohäviöitä ja mahdollistaa tehokkaan toiminnan.

Nopea kytkentä
35 ns nousu- ja laskuajalla transistori soveltuu nopeisiin kytkentätapahtumiin virtalähteissä, moottoriohjaimissa ja erilaisissa elektroniikkaprojekteissa.

Kestävä rakenne
TO-220-kotelo helpottaa asennusta piirilevyille ja jäähdytyslevyihin. 130 W maksimitehohäviö mahdollistaa hyvän lämmönhallinnan asianmukaisella jäähdytyksellä.

Pakkauksen sisältö

• 5 × N-kanavainen MOSFET-transistori

Tekniset tiedot

• Tyyppi: N-kanavainen MOSFET
• Drain-source-jännite: 100 V
• Drain-virta: 33 A
• Päällekytkentävastus: 44 mΩ
• Gate-source-jännite: 20 V
• Nousuaika: 35 ns
• Laskuaika: 35 ns
• Tehohäviö: 130 W
• Kotelo: TO-220
• Käyttölämpötila: −55 °C – 175 °C