Samsung MZ-V9S4T0 4TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC -levy

Samsung

Samsung MZ-V9S4T0 4TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC -levy

Name: Samsung MZ-V9S4T0 4TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC -levy
Brand: Samsung
SKU: ce_105937
Price: 806.95 EUR
Availability: InStock

806,95 €

Aiempi alin hinta

808,40 €

Varastossa

Pe, 12 kesä - to, 18 kesä

Turvallinen maksaminen

14 päivää avoin osto

Myyjä ja toimittaja

Erksononline3

Tuotteen kuvaus

Ominaisuudet

Osa: PC:lle
Satunnaisluku (4KB):850000 IOPS
Lukunopeus:7150 Mt/s
Liitäntä:PCI Express 4.0
NVMe-versio:2.0
Satunnainen kirjoitus (4KB):1350000 IOPS
TRIM-tuki: Kyllä
Kirjoitusnopeus: 6300 Mt/s
Muistityyppi: V-NAND TLC
NVMe: Kyllä
M.2 SSD:n koko: 2280 (22 x 80 mm)
SSD:n kapasiteetti: 4 Tt
Suojausalgoritmit: 256-bittinen AES
SMART-tuki: Kyllä
Laitteistosalaus: Kyllä
SSD-muototekijä: M.2
Keskimääräinen aika virheiden välillä (MTBF ):1500000 h

Käyttöolosuhteet

Käyttölämpötila (TT):0 - 70 °C

Paino & mitat

Paino: 9 g
Syvyys: 2,38 mm
Leveys: 80,2 mm
Korkeus: 22,1 mm

Paino

Tuotenro

f995e7c3-a8c7-5ccd-9ef7-8836311fd0f4

Ominaisuudet
NVMe -versio	2.0
Tietoturva-algoritmit	256-bit AES
SSD-kapasiteetti	4 TB
SSD-malli	M.2
Käyttöliittymä	PCI Express 4.0
NVMe	Kyllä
Muistityyppi	V-NAND TLC
Komponentti (tuotteelle)	PC
Laitteistosalaus	Kyllä
M.2 SSD:n koko	2280 (22 x 80 mm)
Lukunopeus	7250 MB/s
Kirjoitusnopeus	6300 MB/s
Random read (4KB)	1050000 IOPS
Random write (4KB)	1400000 IOPS
DevSlp (laite lepotilassa) -tuki	Kyllä
S.M.A.R.T. tuki	Kyllä
TRIM-tuki	Kyllä
Keskimääräinen vikaantumisaika	1500000 h

Virranhallinta
Käyttöjännite	3,3 V
Virrankulutus (luku)	5,5 W
Virrankulutus (kirjoitus)	4,8 W
Virrankulutus (lepotila)	0,06 W
Virran kulutus DevSlp (device sleep)	5 mW

Paino ja mitat
Tuotteen leveys	80,2 mm
Tuotteen syvyys	2,38 mm
Tuotteen korkeus	80,2 mm
Paino	9 g

Pakkaustiedot
Pakkauksen leveys	148 mm
Pakkauksen syvyys	100 mm
Pakkauksen korkeus	22 mm
Pakkauksen paino	70 g

Ympäristöolosuhteet
Käyttölämpötila (T-T)	0 - 70 °C
Iskunkestävyys käytön aikana	1500 G