Samsung DDR3 4GB, PC1333. Sisäinen muisti: 4 GB, Muistin sijoitus (moduulit x koko): 2 x 2 GB, Sisäisen muistin tyyppi: DDR3, Muistin kellotaajuus: 1333 MHz, Muisti: 240-pin DIMM, CAS-viive: 9<br>

Ominaisuudet

Kellojaksojen määrä, joita tarvitaan yhteyden muodostamiseen tietyihin SDRAM-tietoihin. CAS latenssi, tai yksinkertaisesti CAS, tunnetaan Column Address Strobe nimellä, jota joskus kutsutaan tCL nimellä.

CAS-viive

A computer's memory which is directly accessible to the CPU.

Sisäinen muisti

How the overall memory of the product is put together, defined by the number of modules and the size.

Muistin sijoitus (moduulit x koko)

Sisäisen muistin tyyppi

The frequency at which the memory (e.g. RAM) runs.

Muistin kellotaajuus

Muisti

ECC tarkoittaa Error Correction Code, ja se on muisti, joka pystyy havaitsemaan ja korjaamaan joitakin muistin virheitä ilman käyttäjän toimia.

Puskuroitu muistityyppi

Muistipiirien sijoittelu

The voltage (V) of the memory in the device.

Muistin jännite

Moduulikonfiguraatio

ECC-muisti tätä kokoonpanoa varten, mukaan lukien koko ilmaistuna tavuissa; jota seuraa nopeus ilmaisttuna​​megahertsiä; jota seuraa muistin tyyppi.

Samsung DDR3 4GB, PC1333 muistimoduuli 2 x 2 GB 240-pin DIMM

100,91 €

100,91 €

Tuotteen kuvaus

Samsung DDR3 4GB, PC1333 muistimoduuli 2 x 2 GB 240-pin DIMM

100,91 €

100,91 €

Ominaisuudet
CAS-viive	9
Sisäinen muisti	4 GB
Muistin sijoitus (moduulit x koko)	2 x 2 GB
Sisäisen muistin tyyppi	DDR3
Muistin kellotaajuus	1333 MHz
Muisti	240-pin DIMM
ECC	Ei
Puskuroitu muistityyppi	Unregistered (unbuffered)
Muistipiirien sijoittelu	2
Muistin jännite	1.5 V
Moduulikonfiguraatio	512M x 64
Muistityyppi	PC3-10600

Pakkaustiedot
Pakkaustyyppi	DIMM

Samsung DDR3 4GB, PC1333 muistimoduuli 2 x 2 GB 240-pin DIMM

100,91 €

100,91 €

Tuotteen kuvaus

Tuotetiedot

Samsung DDR3 4GB, PC1333 muistimoduuli 2 x 2 GB 240-pin DIMM

100,91 €

100,91 €